IRF5305PBF

Transistor: P-MOSFET; unipolare; -55V; -31A; 110W; TO220AB   Tipo del transistor P-MOSFET Tecnologia HEXFET® Polarizzazione unipolare Tensione drenaggio-fonte -55V Corrente di drenaggio -31A Potenza dissipata 110W Corpo TO220AB Tensione porta-sorgente ±20V Resistenza nello stato di conduzione 60mΩ Montaggio THT Carico della porta 42nC Genere di confezione tubo Genere di canale arricchito