IRF1018EPBF

Transistor: N-MOSFET; unipolare; 60V; 79A; 110W; TO220AB Tipo del transistor                N-MOSFET Tecnologia                           HEXFET® Polarizzazione                     unipolare Tensione drenaggio-fonte       60V Corrente di drenaggio            79A Potenza dissipata                  110W Corpo                                   TO220AB Tensione porta-sorgente          ±20V Resistenza nello stato di conduzione             8.4mΩ Montaggio                                                       THT Carico della porta                                           46nC Genere di confezione                                     tubo Genere di canale                                           arricchito