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IRF5305PBF

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Артикул: IRF5305PBF
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Transistor: P-MOSFET; unipolare; -55V; -31A; 110W; TO220AB

 

Tipo del transistor
 P-MOSFET
Tecnologia
 HEXFET®
Polarizzazione
 unipolare
Tensione drenaggio-fonte
 -55V
Corrente di drenaggio
 -31A
Potenza dissipata
 110W
Corpo
 TO220AB
Tensione porta-sorgente
 ±20V
Resistenza nello stato di conduzione
 60mΩ
Montaggio
 THT
Carico della porta
 42nC
Genere di confezione
 tubo
Genere di canale
 arricchito
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