Transistor: N-MOSFET; unipolare; 60V; 79A; 110W; TO220AB
Tipo del transistor N-MOSFET
Tecnologia HEXFET®
Polarizzazione unipolare
Tensione drenaggio-fonte 60V
Corrente di drenaggio 79A
Potenza dissipata 110W
Corpo TO220AB
Tensione porta-sorgente ±20V
Resistenza nello stato di conduzione 8.4mΩ
Montaggio THT
Carico della porta 46nC
Genere di confezione tubo
Genere di canale arricchito
